奇梦达和美光发布DDR3芯片样品葫芦岛

据国外媒体报道，芯片分析机构semiconductor insights 披露消息称，奇梦刮胶达和美光科技公司已经抢在三星电子之前发布了下一代ddr3 dram芯片的样品，成为ddr3 dram市场和技术的领先厂商。 调研公司营销副总裁jenn markey表示，ddr3芯片的速率是前代ddr2的二倍，但消耗的能量没有明显增长。令我们惊异的是，美光科技和奇梦达ddr3芯片的样品抢在dram传统技术领先厂商三星电子之前。

ddr3芯片承诺的数据速率已经提高到每秒1600mb，同时ddr3芯片只需要较低的电压，从先前的1.8伏降为1.5伏。降低电压后，在移动系统中能够降低能量的消耗，导致更小的热量散发，进一步延长了电池寿命。 ddr3 储存芯片的高速运行是芯片封装、集成电路和信号传输的重大进步。

美光科技储存部门资深营销主管bill lauer表示，公司计划今年中期将制造容量为1gb的ddr3芯片产品，并发布容量为2gb的ddr3芯片样品。

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美光科技储存部门资深营销主管bill lauer表示，公司计划今年中期将制造容量为1gb的ddr3芯片产品西餐刀叉，并发布容量为2gb的ddr3芯片样品。